杨华中

2019-10-03 1520

     杨华中 教授

     工作单位：清华大学电子工程系

     电话：13911267311

     邮箱： yanghz@tsinghua.edu.cn

参加何学术团体及职务：

1、2015.10-2018.10，新社技术专家委员会 副主任

2、2007.3-2016.06，原总装备部微电子专业组 专家

3、2015.12-2017.12，电子线路教学与产业化专家委员会  副主任

社会兼职：

1、2014.12-现在，华芯投资管理有限责任公司投资决策委员会（国家集成电路产业基金投资决策委员会）委员

2、IJE、TCAS-II等国际期刊编委

学习及工作经历：

1989年获得清华大学半导体器件与物理专业学士学位，

1991和1998年先后获得清华大学电路与系统专业硕士和博士学位。

1993年7月起在清华大学电子工程系工作，1996年7月被聘为副教授、1998年8月被聘为教授。

2005年起担任总装备部电子专家，2014年起担任新华社技术专家委员会副主任，先后担任过IEEE TCAS-II、 IJE、 JCSC等国际期刊的编委（Associate Editor）。在WSN芯片及应用系统、SoC低功耗电路与系统、面向广播和数字媒体的芯片设计、电子系统设计自动化等方面取得了多项开创性成果。 

主要业绩：

长期从事集成电路及自动化方面的教学和科研工作,已经获得授权的国家发明专利100余项，并有10余项转让给工业界；在ISSCC等著名国际会议、IEEE期刊上发表了近500篇论文；出版英文著作2本，中文著作6本。已经取得的主要成果包括：世界上首个长期运行的桥梁健康监测无线传感网，已成功地应用于跨长江、黄河的特大桥和水电大坝的实时监测，获中国公路学会2016年度科学技术一等奖，2013年以该项技术创建源清慧虹信息科技公司，目前估值近2亿元；2012年研发出世界上第一个基于铁电工艺的非易失处理器芯片THU1010N，休眠唤醒时间达到微秒量级，较工业界现有技术缩短一万倍以上，曾获ISLPED2012设计竞赛第一名，目前正开展产业化推广；14位500MHz CMOS DAC芯片，采用他发明的互补开关电流源结构，线性度达到世界领先水平；12位100KHz ADC芯片时域逐次逼近结构和片上校正技术，功耗579.7uW，SFDR达到90.3dB，是当时世界上线性度最高的12位ADC芯片。