杨华中

2019-10-03 1559

 

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     杨华中 教授

     工作单位:清华大学电子工程系

     电话:13911267311

     邮箱: yanghz@tsinghua.edu.cn

 


 



参加何学术团体及职务:

1、2015.10-2018.10,新社技术专家委员会 副主任

2、2007.3-2016.06,原总装备部微电子专业组 专家

3、2015.12-2017.12,电子线路教学与产业化专家委员会  副主任


社会兼职:

1、2014.12-现在,华芯投资管理有限责任公司投资决策委员会(国家集成电路产业基金投资决策委员会)委员

2、IJE、TCAS-II等国际期刊编委


学习及工作经历:

1989年获得清华大学半导体器件与物理专业学士学位,

1991和1998年先后获得清华大学电路与系统专业硕士和博士学位。

1993年7月起在清华大学电子工程系工作,1996年7月被聘为副教授、1998年8月被聘为教授。

2005年起担任总装备部电子专家,2014年起担任新华社技术专家委员会副主任,先后担任过IEEE TCAS-II、 IJE、 JCSC等国际期刊的编委(Associate Editor)。在WSN芯片及应用系统、SoC低功耗电路与系统、面向广播和数字媒体的芯片设计、电子系统设计自动化等方面取得了多项开创性成果。 


主要业绩:

长期从事集成电路及自动化方面的教学和科研工作,已经获得授权的国家发明专利100余项,并有10余项转让给工业界;在ISSCC等著名国际会议、IEEE期刊上发表了近500篇论文;出版英文著作2本,中文著作6本。已经取得的主要成果包括:世界上首个长期运行的桥梁健康监测无线传感网,已成功地应用于跨长江、黄河的特大桥和水电大坝的实时监测,获中国公路学会2016年度科学技术一等奖,2013年以该项技术创建源清慧虹信息科技公司,目前估值近2亿元;2012年研发出世界上第一个基于铁电工艺的非易失处理器芯片THU1010N,休眠唤醒时间达到微秒量级,较工业界现有技术缩短一万倍以上,曾获ISLPED2012设计竞赛第一名,目前正开展产业化推广;14位500MHz CMOS DAC芯片,采用他发明的互补开关电流源结构,线性度达到世界领先水平;12位100KHz ADC芯片时域逐次逼近结构和片上校正技术,功耗579.7uW,SFDR达到90.3dB,是当时世界上线性度最高的12位ADC芯片。